TAKEMS acaba de revelar a iminente vai começar a vender um kit dual channel 4GB focada em plataformas LGA 1156 e 1600 MHz de trabalho
Os relatórios de trabalho sem refrigeração como padrão com o apoio XMP (Extreme Memory Profile) e pode operar em 1600 MHz com latências de 9-9-9-24. A tensão de operação do módulo é de 1,65 volts.
Não era imediatamente conhecido faixa de preço para ser lançado, mas é lógico que chega ao mercado a um preço acessível.
Samsung começar a fazer os chips de memória DDR3 de 4 Gbits. Foi possível graças ao processo de fabrico 40nm e os modelos vêm com esses chips para dobrar a capacidade atual.
Eles vão reduzir o consumo e desempenho ao longo do intervalo anterior e, em teoria, permitir o fabrico de módulos para os servidores até 32 GB e 8 GB para laptops. Trabalho com uma tensão de 1,5 V e 1,35 V e chegam formato RDIMM 16 e 32 GB e 8 GB SODIMM.
Mushkin anunciou outro kit Blackline de DDR3 e duplo canal para sistemas baseados em Core i5/i7, o Blackline DDR3-2000 de 4GB.
Este kit se apresenta em dois módulos de 2GB com o característico disipador Blackline de Mushkin, funcionando a 2.000MHz com latências 7-10-8-27 a 1,65V.
Este é o kit de DDRmais 3 rápido que lançou Mushkin até a data já que, conquanto é verdadeiro que compartilha uma freqüência de 2.000MHz com outros kits da gama Redline ou Blackline, este kit tem as latências mais ajustadas.
Vai estar disponível a um preço de 180 dólares.
Sandisk apresentou em Barcelona sua nova memória flash integrada denominada iNAND, sua capacidade máxima é de 64GB. Estas novas unidades suportam a especificação e.MMC 4.4 com o que podem usar-se para funções de arranque, código de sistema e armazenamento em massa. Isto otimiza a eficiência à hora de armazenar ou de arrancar os sistemas, que são melhoras cada vez mais demandadas pelos novos Smartphones.
O desenho aproveita ao máximo o espaço, o que permite usar-se em dispositivos de qualquer tamanho, por pequeno ou delgado que seja, ademais também oferecem uma poupança energética com respeito aos produtos atuais.
O gigante tecnológico Samsung, acaba de anunciar a primeira memória RAM DDR3 feita com tecnológica de 30nm. O módulo de 2GB foi comprovado de maneira exitosa para o uso doméstico, este permite poupar significativamente o consumo de energia, além de incrementar notavelmente a produtividade com esta tecnologia.
A posta de produção em massa destas memórias se dará a partir da segunda metade do ano 2010, isto ajudará a incrementar a produtividade num 60% comparado sobre as memórias DDR3 RAM a 40nm, além de oferecer uma poupança do 30% de energia consumida sobre os módulos feitos a 50nm do mesmo tipo.
Este tipo de memórias será usado no futuro em todos os âmbitos computacionais ordinários, tanto em servidores, computadores de escrivaninha e portáteis, inclusive em celulares. Tudo isto suporá uma inovação tecnológica por parte da companhia.
Corsair Memory volta a incrementar a freqüência de suas memórias DDR3 de alto rendimento “Corsair Dominator GTX”, já a inícios de dezembro de 2009 a companhia anunciava seus módulos de 2250Mhz, que eram à data as mais rápidas oferecidas pela companhia, já que agora anunciou seus novos módulos Corsair Dominator GTX1 , esta vez com uma freqüência de 2400Mhz/2333Mhz (9-11-9-27 @ 1.65v), as mais rápidas no catalogo de produtos DDR3 e do que conta com certificação Intel Extreme Memory Profiles (XMP) para plataformas Intel P55/X58.
Seu preço é de US$200 na loja on-line de Corsair.
Fonte: madboxpc
Hynix anunciou que desenvolveu o primeiro chip DDR2 de baixo consumo para aplicações móveis de 2 Gbits (256MB). Conseguiu graças ao uso de tecnologia de fabricação de 40nm.
Os novos chips funcionam a 1.066 MHz, a velocidade mais rápida deste tipo de soluções DRAM tanto em tipo MCP (Multi Chip Package) com POP (Package on Package). Funciona a 1,2 voltios e é capaz de processar até 4,26 GB/s através de um interface de 32 bits. Segundo palavras de Hynix consome a metade que as soluções existentes de cor para dispositivos móveis.
O novo produto de Hynix cumpre os padrões JEDEC e será integrado em smartphones, smartbooks e Tablets para finais de ano, já que se espera a fabricação em massa para mediados de 2010.
Kingston acaba de anunciar novos kits de memórias HyperX para usuários entusiastas. Trata-se de um kit de 24 GB 1.600 MHz, 6x4GB, e outro de 16 GB 1.600 MHz para configurações dual channel 4x4GB.
Evidentemente estamos falando de uns kits de muito alta quantidade de RAM e além de módulos com umas latências de 9-9-9-27 a 1,65V, isto é falamos de gama alta com compatibilidade Intel XMP. Os preços são bastante elevados pelo que vos podeis sujeitar ao que tenhais a mão: o kit de 24 GB custará 1.598 dólares e o de 16 GB 1.065 dólares.
O fabricante de memórias GeIL acaba de anunciar a expansão de sua linha de produtos com nada menos que 30, sim si 30, novos kits de memória tríple channel Black Dragon DDR3. São parte da linha para usuários exigentes e constam de kits de 3 e 6 GB.
Os módulos chegam com garantia de por vida e dispõem PCBs com 8 capas para evitar interferências eletromagnéticas, que ademais chegam equipados com duas LEDs vermelhos. As freqüências de funcionamento vão desde os 1.066 MHz até os 2.133 MHz.
Corsair lançou os novos módulos de memória DDR3 Dominator GTX de grande rendimento, já que funcionam de fábrica a 2.250 MHz.
A esta freqüência de trabalho conseguem umas latências de 8-8-8-24 a 1,65V, que seguramente poderão baixar se se faz funcionar o módulo a uma freqüência menor, conseguindo de todos modos boas taxas de overclock e um rendimento elevado. Por exemplo, conseguiram-se 1.800 MHz com latências CL6 em sistemas baseados em AMD Phenom II.
Pelo demais, destaca no apartado estético por seu disipador de altura generosa.
Vai sair à venda dia 8 de dezembro em uma edição limitada.